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时间：2024-05-14 浏览量：0次
记者从中国科学院金属研究所得悉，该所沈阳材料科学国度研究中间胡卫进研究员与合作者，提出操纵缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而加强铁电极化强度的策略，成功揭露极化强度同铁电地道滚存储器隧穿电阻之间的联系关系，并实现庞大器件开关比。相干研究功效以“外延应变调控铁电极化强度实现庞大隧穿电致电阻效应”为题，颁发在国际杂志《美国化学学会·纳米》上。
铁电地道结具有简练的金属-超薄铁电-金属叠层器件布局，它操纵铁电极化翻转调控量子隧穿效应取得分歧的电阻态，实现数据存储功能。具有高速读写、低功耗和高存储容量等长处，属在下一代消息存储手艺。隧穿电致电阻是地道结的要害机能目标，它与界面电荷屏障效应、铁电极化强度等紧密亲密相干。今朝，一般经由过程多样化的电极项目调制电荷屏障效应，实现隧穿电致电阻的晋升。但铁电层的电极化强度若何定量影响隧穿电致电阻，迄今还没有尝试验证。
研究人员以Sr3Al2O6/La0.67Sr0.33MnO3/BaTiO3为模子系统，操纵激光份子束外延手艺实现了多层膜的原子级逐层发展和地道结器件的制备。研究发觉，Sr3Al2O6缓冲层厚度可持续调控BaTiO3单晶薄膜的面内应变，从而线性加强铁电极化强度。基在此，研究人员得以在-2.1%的压应变下，在BaTiO3/La0.67Sr0.33MnO3界面取得80μC/cm2的铁电极化强度，打破已报导的最高值记载。
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